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アイテム
シリコン基板上に形成したBi_4-xLa_xTi_3O_12薄膜の優先配向の結晶化過程における変化
https://fukuoka-u.repo.nii.ac.jp/records/2210
https://fukuoka-u.repo.nii.ac.jp/records/22103a352cc3-971d-4bd9-a2a0-3ea961b49274
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文（Article） (551.4 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2015-09-11 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | シリコン基板上に形成したBi_4-xLa_xTi_3O_12薄膜の優先配向の結晶化過程における変化 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||
| その他のタイトル | Change in Preferred Crystal Orientation of Bi_4-xLa_xTi_3O_12 Thin Films Formed on Silicon Substrate during Crystallization | |||||
| 著者 |
香野, 淳
× 香野, 淳× 田尻, 恭之× 隅谷, 和嗣× 春木, 理恵 |
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| 著者別名 |
Kohno, Atsushi
× Kohno, Atsushi× Tajiri, Takayuki× Sumitani, Kazushi× Haruki, Rie |
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| 書誌情報 |
福岡大学理学集報 en : Fukuoka University Science Reports 巻 39, 号 2, p. 95-99, 発行日 2009-09 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 福岡大学研究推進部 | |||||
| ページ属性 | ||||||
| 値 | P:論文 | |||||
| 記事種別 | ||||||
| 値 | 論文(物理) | |||||
| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0386-118X | |||||
| 雑誌書誌ID(NCID) | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00216594 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
